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三星首次展示3nm万和城在线登录万和城在线登录芯片-万和城在线登录万和城在线登录基本信息查询

2021-03-15 07:47:24 标签:3nm万和城在线登录万和城在线登录芯片

这几年,台积电在半导体万和城在线登录万和城在线登录上一路策马扬鞭,春风得意,能够追赶的也只万和城在线登录三星了,但是后者的万和城在线登录万和城在线登录品质一直饱受质疑。

IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星(确切地说是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm万和城在线登录万和城在线登录制造的芯片,是一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片,这也是新万和城在线登录万和城在线登录落地传统的第一步。

在三星路线图上,14nm10nm7nm3nm万和城在线登录是全新万和城在线登录万和城在线登录节点,其他则是升级改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。


三星将在3nm万和城在线登录万和城在线登录上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,再次实现了晶体管结构的突破,比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET技术又分为两种类型,一是万和城在线登录规GAAFET,使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin),二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管),使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片(nanosheet)

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Gb,面积56平方毫米,最令三星骄傲的就是超低功耗,写入电压只需要区区0.23V,这要感谢MBCFET的多种省电技术。

按照三星的说法,3GAE万和城在线登录万和城在线登录相比于其7LPP,可将晶体管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

或许,这可以让三星更万和城在线登录地控制芯片功耗、发热,避免再出现所谓的“翻车”。

三星3nm预计明年投入量产,但尚未万和城在线登录布任何客户。

台积电方面,3nm继续使用FinFET技术,号称相比于5nm晶体管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,预计今年晚些时候投入试产,明年量产,客户包括除了苹果、AMDNVIDIA、联发万和城在线登录、赛灵思、博通、高通等,甚至据说Intel也会用。